RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Comparez
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Note globale
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Note globale
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
55
Autour de 16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.2
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
55
Vitesse de lecture, GB/s
12.2
9.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2072
2230
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link