RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
47
Autour de -68% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.9
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
28
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
16.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
3859
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link