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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Différences
Spécifications
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Raisons de considérer
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
45
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
3106
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
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