RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Comparez
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Note globale
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Note globale
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
44
Autour de -63% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
13
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.3
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
27
Vitesse de lecture, GB/s
13.0
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2069
3731
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link