RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
45
Autour de -32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.2
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
34
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
3477
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link