RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
45
Autour de -67% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
3386
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link