RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
45
Autour de -7% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
42
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
2737
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905471-054.A00LF 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link