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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
46
Autour de 2% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
45
46
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
11.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
1854
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
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