RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
48
Autour de -85% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
26
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
3705
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kllisre 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link