RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
48
Autour de -71% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.0
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
28
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
17.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
3786
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link