RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
47
48
Autour de 2% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
48
Vitesse de lecture, GB/s
9.3
12.3
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1413
3061
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G3D1339DS1S00. 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link