RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
47
91
Autour de 48% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.3
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
5.9
4.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
91
Vitesse de lecture, GB/s
9.3
6.1
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
4.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1413
1214
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link