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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Note globale
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Note globale
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Différences Spécifications Commentaires

Différences

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB Raisons de considérer
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    9.7 left arrow 9.3
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    6.8 left arrow 5.9
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    47 left arrow 47
  • Vitesse de lecture, GB/s
    9.3 left arrow 9.7
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    5.9 left arrow 6.8
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1413 left arrow 1549

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