RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
71
Autour de 42% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.5
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
71
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2016
1863
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link