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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
40
Autour de -48% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
2509
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
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