RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
40
Autour de -25% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
24.1
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.6
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
24.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
16.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
4001
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link