RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
40
Autour de -43% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
28
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
3680
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link