RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
45
Autour de 11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
5.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
45
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
5.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
1535
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link