RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Comparez
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Note globale
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
38
Autour de -23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.8
3.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
31
Vitesse de lecture, GB/s
7.2
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
3.0
9.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
915
2888
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link