RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Comparez
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Note globale
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
36
Autour de 25% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
36
Vitesse de lecture, GB/s
12.2
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1763
2971
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link