RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Comparez
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
46
Autour de -64% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
28
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
12.6
Vitesse d'écriture, GB/s
13.6
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
19200
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2717
2759
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link