RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Comparez
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Note globale
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
55
Autour de 16% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
55
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
13.6
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
25600
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2717
2701
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R538G1601U2S 8GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link