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SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Comparez
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB vs Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Note globale
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Note globale
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
52
Autour de -136% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
1,904.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
22
Vitesse de lecture, GB/s
4,850.6
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,904.4
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
913
3178
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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