RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Comparez
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Note globale
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
37
Autour de -28% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
29
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2438
3273
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link