RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Comparez
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Note globale
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
47
Autour de 21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
14
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
47
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2438
2640
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link