RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Comparez
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Note globale
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
37
Autour de -76% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
21
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
17000
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2438
3034
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link