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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Comparez
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Note globale
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
37
Autour de -76% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.7
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
21
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
17000
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2438
3380
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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