RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
48
Autour de 15% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
48
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
12.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1438
3061
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link