RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
41
Autour de -46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.6
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.6
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
28
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
19.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
16.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1438
3804
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB Comparaison des RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kllisre 0000 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link