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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Note globale
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.3
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
41
Autour de -58% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.7
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
26
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
11.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
5.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1438
1771
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
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