RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Note globale
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
43
Autour de -54% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.9
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
28
Vitesse de lecture, GB/s
10.7
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1314
2312
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link