RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Note globale
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
38
Autour de -46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
26
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
6.6
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1406
2323
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link