RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
38
Autour de -52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.7
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
25
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
6.6
16.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1406
3845
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link