RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
62
Autour de 39% latence réduite
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.3
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
62
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
6.6
9.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1406
2138
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link