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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Comparez
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Note globale
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Note globale
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
74
Autour de 42% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.6
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
74
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1706
1616
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
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