RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Comparez
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Note globale
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
37
Autour de -23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
14900
Autour de 1.14 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
30
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
17000
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2065
3551
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F5-6000J4040F16G 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link