RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Comparez
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Note globale
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Note globale
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
42
Autour de -2% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
41
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
13.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2152
2395
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link