RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Comparez
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Note globale
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
41
Autour de -58% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.4
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.3
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
26
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.3
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2290
3648
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link