RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Comparez
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Note globale
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
41
Autour de -116% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
19
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
20.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1484
3383
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link