RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Comparez
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Note globale
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
42
Autour de -121% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.2
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.1
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
19
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
20.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
18.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2535
3905
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link