RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Comparez
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Note globale
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
44
Autour de -26% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
35
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
10.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
7.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1977
2124
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
ISD Technology Limited IMT451U6MFR8Y-AB1 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link