RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Comparez
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Note globale
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
44
71
Autour de 38% latence réduite
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
71
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1977
1902
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Mushkin 994083 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link