RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
65
Autour de -183% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
1,711.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
23
Vitesse de lecture, GB/s
4,018.7
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,711.1
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
513
3081
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparaison des RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link