RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
65
Autour de -55% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
1,711.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
42
Vitesse de lecture, GB/s
4,018.7
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,711.1
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
513
2476
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparaison des RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston 99U5403-159.A01LF 8GB
Kingston 9905471-081.A00LF 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link