RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,978.2
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
66
Autour de -175% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
24
Vitesse de lecture, GB/s
2,929.1
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,978.2
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
511
3231
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link