RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
59
Autour de -48% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
2,076.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
40
Vitesse de lecture, GB/s
4,723.5
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,076.1
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
741
2254
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link