RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Note globale
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,076.1
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
59
Autour de -136% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
25
Vitesse de lecture, GB/s
4,723.5
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,076.1
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
741
2346
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link