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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,076.1
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
59
Autour de -74% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
34
Vitesse de lecture, GB/s
4,723.5
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,076.1
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
741
2812
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
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Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
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