RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Note globale
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
59
Autour de -119% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.0
2,076.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
27
Vitesse de lecture, GB/s
4,723.5
11.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,076.1
6.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
741
1890
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link