RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
62
Autour de -114% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
1,658.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
29
Vitesse de lecture, GB/s
4,216.7
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,658.4
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
688
3313
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link